過去幾年里，HBM 市場競爭加劇，SK 海力士、三星和美光都在通過開發(fā)更先進(jìn)的 HBM 產(chǎn)品，以爭奪更大的市場份額，提高存儲器業(yè)務(wù)的營收及利潤率。不過近期一間意想不到的廠商正從不同的角度，試圖進(jìn)入 HBM 市場。
據(jù) Sedaily報(bào)道，LG 正在為 HBM 開發(fā)混合鍵合設(shè)備，目標(biāo) 2028 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，希望借此機(jī)會(huì)進(jìn)軍半導(dǎo)體設(shè)備市場。
相比之下，混合鍵合是一種 3D 集成技術(shù)，使用特殊材料填充和連接芯片，不需要凸塊。與傳統(tǒng)的基于凸塊的堆疊相比，具有更低的電阻和電容、更高的密度、更好的熱性能、以及更薄的 3D 堆棧。
傳聞三星從第 10 代 V-NAND 閃存開始，采用混合鍵合技術(shù)，目標(biāo)是在 2025 年下半年開始量產(chǎn)，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到 420 層至 430 層。三星還打算將混合鍵合技術(shù)擴(kuò)展到 DRAM 芯片，引入到第六代 HBM 產(chǎn)品，也就是 HBM4。SK 海力士也有類似的打算，不過要等到 HBM4E。
